Dans les industries des semi-conducteurs et de l'énergie solaire, le contrôle qualité est essentiel pour garantir la fiabilité et la performance des produits finaux. Les technologies avancées d'imagerie infrarouge, telles que la caméra SWIR et la microscopie par émission de photons, jouent un rôle crucial dans la détection des défauts et des impuretés dans des matériaux comme le silicium et les tranches de semi-conducteurs. En identifiant les imperfections dès les premières étapes de fabrication, ces techniques d'inspection contribuent à optimiser le rendement et à réduire les risques de défaillance, soutenant ainsi une production efficace et de haute qualité.
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Contactez-nousInspection infrarouge des semi-conducteurs
L’inspection infrarouge des semi-conducteurs peut être utilisée pour optimiser les processus de fabrication. Le rendement des produits, leur qualité et l’analyse des défaillances deviennent des éléments clés dans l’industrie des semi-conducteurs, que ce soit au niveau des tranches, des puces, ou des dispositifs encapsulés.
Microscopie par émission : La microscopie par émission de photons, ou imagerie par électroluminescence, est une technique d’analyse des défaillances relativement nouvelle, permettant de détecter le rayonnement photonique provenant d’un site défectueux, principalement en raison des mécanismes de recombinaison des porteurs. Essentiellement, le rôle principal des inspections infrarouges des semi-conducteurs est d’identifier et de localiser les défauts.
Inspection des Lingots de Silicium
Le silicium (Si) est un matériau couramment utilisé pour la production wafers semi-conducteurs, qui sont ensuite transformées en composants (opto-)électroniques pour divers produits électroniques. Les wafers fabriqués avec du silicium de mauvaise qualité peuvent présenter des défauts dans les composants ou même entraîner leur défaillance totale. Les impuretés, défauts, vides ou inclusions dans les blocs et lingots de silicium doivent être inspectés avant leur transformation en wafers.
Les caméras SWIR InGaAs sont largement utilisées dans l’industrie des semi-conducteurs pour inspecter les blocs ou lingots de silicium cristallin (Si). Les impuretés et inclusions à l’intérieur des blocs ou lingots peuvent être facilement détectées grâce à une caméra SWIR et une source lumineuse émettant une longueur d’onde supérieure à 1150 nm. Cela s’explique par le fait que la bande interdite de ce matériau semi-conducteur (Si) n’absorbe pas les photons SWIR, à énergie plus faible et de plus grande longueur d’onde, alors que les photons visibles (à énergie plus élevée) sont absorbés.
En somme, cela permet aux contrôleurs de voir à travers le lingot, identifiant facilement toute complication pouvant affecter la qualité du produit final. Cela fait des caméras SWIR InGaAs un outil d’inspection excellent et simple pour un processus de production de tranches sans encombre.
